Pengertian Breakdown Voltage Pada Dioda

TEGANGAN BREAKDOWN DIODA

Break down voltage atau jatuh tegangan dioda adalah nilai tegangan minimal pada dioda untuk dapat mengalirkan arus listrik.

Sebuah dioda tidak berfungsi sebagaimana layaknya sebuah resistor, yang dengan mudah dapat mengalirkan arus listrik yang dibebankan kepadanya. Dioda memiliki jatuh tegangan, apabila nilai tegangan yang diberikan kurang dari break down voltage, maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik.

Sebuah dioda yang diberi bias maju, memiliki jatuh tegangan sekitar 0,7 V. Dengan kata lain, jika sebuah dioda diberikan tegangan kurang dari 0, 7 V, maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Dan tegangan 0,7 V tersebut, akan menjadi tegangan tetap dioda (V_D) di dalam rangkaian.



Arus rekombinasi pada basis harus mengalir kebawah melalui rb. Jika hal ini terjadi maka dihasilkan tegangan:

Tegangan Breakdown Transistor

Karena separuh dari transistor merupakan dioda, maka tegangan balik yang terlalu besar dapat menyebabkan dioda tersebut breakdown. Tegangan breakdown ini tergantung dari lebar lapisan pengosongan dang tingkat doping. Karena tingkat doping dengan konsentrasi tinggi, dioda emiter mempunyai tegangan breakdown yang rendah, kira-kira 5 V sampai 30 V, sebaliknya dioda kolektor lebih sedikit oleh karena itu tegangan breakdown VCE lebih tinggi antara 20 V sampai 30 V.

Pada transistor yang bekerja normal, dioda kolektor bias balik. Pada saat VCB terlalu besar, dioda kolektor breakdown dan mungkin rusak disebabkan kelebihan disipasi daya.Karena itu pada hampir semua desain harus menjaga agar tegangan kolektor lebih kecil dari ranting maksimum untuk VCE yang ditulis pada data sheet pabriknya. Demikian juga pada beberapa rangkaian transistor, mungkin pada suatu saat dioda emiter dibias balik walaupun sebentar tegangan balik tidak boleh melebihi ranting maksumum VBC.